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科学研究领域

CO2激光器之极深紫外光(EUV)的种子光源

来源:本站    发布时间:2014-12-8 14:05:32    点击量:

极深紫外光(EUV)的种子光源

       通过研究各种不同激光波长和被照射原材料的组合,最后发现CO2激光与锡液体微滴靶的组合具有最佳的转换效率。因此,一套具有实际生产价值的EUV光源系统必须包括CO2激光器、锡液体微滴生成器、收集光路和碎屑过滤消除装置等部分。

       为了制造集成度更高的电路,人们在积极寻找下一代光刻(NGL)光源。目前工业界确定的下一代光刻光源是波长为13.5nm的极端远紫外(EUV)光源,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸,理论上可达22nm以下。
        尽管目前实验型的EUV曝光光刻设备使用的是低功率辉光放电等离子体(DPP)光源,但是它不能够满足大规模量产的需求。而激光等离子体(LPP)光源由于其具备高功率输出的优势最有希望担负起EUV光刻技术量产的大任。
        LPP光源产生EUV(波长:13.5nm)的原理在于用激光照射在包括氙、锡或锂在内的原材料,通过激发可以得到高能电离等离子体。通过研究各种不同激光波长和被照射原材料的组合,最后发现CO2激光与锡液体微滴靶的组合具有最佳的转换效率。因此,一套具有实际生产价值的EUV光源系统必须包括CO2激光器、锡液体微滴生成器、收集光路和碎屑过滤消除装置等部分。


 

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